IBM 與 Samsung 共同發表垂直傳輸場效應電晶體 (VTFET) 晶片設計技術，該技術將電晶體以垂直方式堆疊，並且讓電流改以垂直方式進行流通，使電晶體數量密度再次提高，更大幅提高電源使用效率，並且突破目前在 1 納米製程設計上所面臨的瓶頸。
相較傳統將電晶體以水平方式放置的設計，垂直傳輸場效應電晶體能夠增加電晶體數量堆疊密度，並且讓運算速度提升兩倍，同時藉由電流垂直方式流通，使電力損耗在相同的性能發揮下，減低 85% 幅度。
這項製程技術能夠將未來推出的手機在一次充電的情況下，續航力達到一個星期，亦可以使某些耗能密集型工作，例如加密工作更加慳電，進一步減少環境污染，不過 IBM 和 Samsung 尚未公佈何時開始將垂直傳輸場效應電晶體設計應用在實際產品。
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