中國在a-IGZO晶體管研究取得重要進展

中科院微電子研究所在非晶銦鎵鋅氧化物（a-IGZO）晶體管領域取得重要進展。

a-IGZO 被視為實現高密度三維集成的最佳物料之一，三維集成技術的本質是提高晶體管在晶片上的集成密度，對於相容後部工藝的 a-IGZO 晶體管來講，探索其尺寸的極限微縮是實現高密度三維集成的關鍵。

針對上述問題，微電子所重點實驗室科研人員通過採用宏觀電學測試和微觀表徵技術相結合的方法，研究了尺寸微縮時 a-IGZO 晶體管基本特性的變化規律，通過微縮柵介質等效氧化層厚度和半導體厚度來提高零件的柵控能力，進一步優化金屬半導體接觸，減低零件的接觸電阻，並使用柵控能力更強的雙柵互聯結構與操作模式，實現了性能優異的雙柵 a-IGZO 短溝道晶體管。